发明名称 画像显示装置和该制造方法
摘要 本发明提供一种画像显示装置和该制造方法,在该画像显示装置中,前面基板具有:复数萤光体层6,系形成于玻璃基板4上;复数光吸收层5,系分别设置于复数萤光体层间;金属背层(metal back layer)1,系形成于复数萤光体层上,且被电性分断成复数;复数吸气分断层2,系在复数光吸收层上,且在金属背层的沟藉由沈积绝缘膜而所形成,以该沈积的壁面相对于金属背层的面,为90度至80度范围的悬崖状沈积物所形成;和复数吸气层3,系分别积层形成于金属背层上与吸气分断层上,使金属背层上的吸气层与吸气分断层上的吸气层被电性绝缘。
申请公布号 TWI264750 申请公布日期 2006.10.21
申请号 TW094129979 申请日期 2005.08.31
申请人 东芝股份有限公司 发明人 小柳津刚;奥土幸男
分类号 H01J31/12;H01J9/227;H01J29/32 主分类号 H01J31/12
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 1.一种画像显示装置,系将前面基板和背面基板经 由间隔物相对而形成,其特征为: 上述前面基板具备: 复数萤光体层,系形成于玻璃基板上;和 复数光吸收层,系分别设置于上述复数萤光体层间 ;和 金属背层(metal back layer),系形成于上述复数萤光体 层上,且被电性分断成复数;和 复数吸气分断层,系在上述复数光吸收层上藉由沈 积绝缘体而所形成,以该沈积的壁面相对于上述金 属背层的面,为90度至80度范围的悬崖状沈积物所 形成;和 复数吸气层,系分别积层形成于上述金属背层上与 上述吸气分断层上,使上述金属背层上的吸气层与 上述吸气分断层上的吸气层被电性绝缘。 2.如申请专利范围第1项之画像显示装置,其中,上 述吸气分断层的膜厚系位在5微米至30微米的范围 。 3.一种画像显示装置之制造方法,系将前面基板和 背面基板经由间隔物相对而形成,且将上述前面基 板与背面基板之间的空间予以高真空化,且从设置 于上述背面基板内的电子源发射电子,使设置于上 述前面基板内的萤光体发光,而显示画像, 其特征为: 在玻璃基板上形成复数萤光体层, 在上述复数萤光体层间,形成复数光吸收层, 在上述复数萤光体层上形成金属背层,且将该金属 背层电性分断成复数, 在上述复数光吸收层上藉由沈积绝缘体,作为此时 的沈积壁面相对于上述金属背层的面,为90度至80 度范围的悬崖状沈积物,而形成吸气分断层, 藉由分别积层形成于上述金属背层上与上述吸气 分断层上,将上述金属背层上的吸气层与上述吸气 分断层上的吸气层形成电性绝缘的状态。 4.如申请专利范围第3项之画像显示装置的制造方 法,其中,上述吸气分断层的膜厚系位在5微米至30 微米的范围。 5.如申请专利范围第3项之画像显示装置的制造方 法,其中,在上述吸气分断层形成前,先在形成上述 吸气分断层的两侧设置预定层,在上述预定层之间 形成吸气分断层,然后,藉由令上述预定层蒸发,而 实现上述吸气分断层的锥形角。 图式简单说明: 第1图系本发明之一实施型态之画像显示装置前面 基板的一例之剖面图。 第2图系本发明之一实施型态之画像显示装置前面 基板的吸气分断层的一例之放大剖面图。 第3图系本发明之一实施型态之画像显示装置前面 基板的吸气分断层与吸气层的一例之放大剖面图 。 第4图系表示本发明之一实施型态之画像显示装置 前面基板的吸气分断层的形成步骤之说明图。 第5图系表示本发明之一实施型态之画像显示装置 的构造的一例之剖面图。 第6图系表示本发明之一实施型态之画像显示装置 的放电特性的一例之图。
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