| 发明名称 |
Verfahren zur Bildung einer leitenden Silicidschicht auf einem Silicium enthaltenden Substrat und Verfahren zur Bildung eines leitenden Silicidkontaktes |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE10084994(B4) |
申请公布日期 |
2006.10.19 |
| 申请号 |
DE2000184994 |
申请日期 |
2000.09.01 |
| 申请人 |
MICRON TECHNOLOGY INC. |
发明人 |
SHARAN, SUJIT;SANDHU, GURTEJ S.;GILTON, TERRY L. |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/283;H01L21/285;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/52 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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