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发明名称 Herstellungsverfahren für eine NROM-Halbleiterspeichervorrichtung
摘要
申请公布号 DE10324550(B4) 申请公布日期 2006.10.19
申请号 DE20031024550 申请日期 2003.05.30
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 HOFMANN, FRANZ;SPECHT, MICHAEL;LANDGRAF, ERHARD
分类号 H01L21/8247;H01L21/336;H01L21/8246;H01L27/115;H01L29/792 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
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