发明名称 | 半导体存储装置和控制方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种不会妨害读·写时的动作速度、能有效地抑制由从外部提供的地址信号的噪声引起的工作电流的产生的半导体存储装置和控制方法。该半导体存储装置具有:存储单元阵列,将包含数据存储用的电容器的存储单元排列成行列状而构成;滤波电路,用于除去包含在从外部提供的地址信号中的噪声;第一信号变化检测电路系统,检测出通过滤波电路之前的地址信号的变化,生成用于控制刷新动作的第一脉冲信号;第二信号变化检测电路系统,检测出通过滤波电路之后的地址信号的变化,生成用于控制读·写动作的第二脉冲信号;以及控制系统,以第一和第二脉冲信号为触发,在同一周期内,进行刷新动作,然后进行读·写动作。 | ||
申请公布号 | CN1280832C | 申请公布日期 | 2006.10.18 |
申请号 | CN01812522.0 | 申请日期 | 2001.07.26 |
申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 高桥弘行;园田正俊 |
分类号 | G11C11/401(2006.01) | 主分类号 | G11C11/401(2006.01) |
代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;关兆辉 |
主权项 | 1.一种半导体存储装置,具有:存储单元阵列,将包含数据存储用的电容器的存储单元排列成行列状而构成;滤波电路,用于除去包含在从外部提供的地址信号中的噪声;第一信号变化检测电路系统,检测出通过上述滤波电路之前的地址信号的变化,生成用于控制刷新动作的第一脉冲信号;第二信号变化检测电路系统,检测出通过上述滤波电路之后的地址信号的变化,生成用于控制读·写动作的第二脉冲信号;以及控制系统,以上述第一和上述第二脉冲信号为触发,在同一周期内,进行上述刷新动作,然后进行上述读·写动作。 | ||
地址 | 日本神奈川 |