| 发明名称 | 有机薄膜晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有一致特性的有机TFT和具有该有机TFT的平板显示器，其中有机TFT包括采用旋涂工艺形成的有机半导体层。该有机TFT的一个实施例包括：衬底，设置在衬底上的栅电极，覆盖该栅电极的栅极绝缘膜，设置在栅极绝缘膜上的有机半导体层，以及与有机半导体层接触的源电极和漏电极，其中多个突起部件形成于栅极绝缘膜上，且突起部件从源电极延伸向漏电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1848476A | 申请公布日期 | 2006.10.18 |
| 申请号 | CN200510137344.8 | 申请日期 | 2005.11.15 |
| 申请人 | 三星SDI株式会社 | 发明人 | 徐旼彻;具在本;安泽 |
| 分类号 | H01L51/05(2006.01) | 主分类号 | H01L51/05(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;张志醒 |
| 主权项 | 1、一种有机薄膜晶体管(TFT)包括：衬底；设置在衬底上的栅电极；覆盖栅电极的栅极绝缘膜；设置在栅极绝缘膜上的有机半导体层；和与有机半导体层相接触的源电极和漏电极，其中，多个突起形成于栅极绝缘膜上，且在从源电极延伸到漏电极的取向上排列。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||