| 发明名称 | 蚀刻硅的改进方法 | ||
| 摘要 | 通过包含有机树脂材料层(例如线型酚醛树脂)的掩模(11)来蚀刻硅(12)，利用该掩模在待蚀刻区域中形成开口(32)。首先，在待蚀刻器件的自由表面上沉积有机树脂层。随后，通过利用喷墨打印机沉积腐蚀性蚀刻剂如氢氧化钾(KOH)或氢氧化钠(NaOH)而形成开口(32)。所述蚀刻剂与树脂反应，从而在待蚀刻区域中暴露出硅表面。硅表面蚀刻的进行是通过将氢氟酸(HF)和高锰酸钾(KMnO<SUB>4</SUB>)的稀溶液经掩模中的开口施加至所述暴露表面从而将硅蚀刻至所需深度(83)。 | ||
| 申请公布号 | CN1849702A | 申请公布日期 | 2006.10.18 |
| 申请号 | CN200480025935.X | 申请日期 | 2004.09.09 |
| 申请人 | CSG索拉尔有限公司 | 发明人 | 特雷沃·林赛·扬 |
| 分类号 | H01L21/308(2006.01);H01L21/467(2006.01) | 主分类号 | H01L21/308(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾晋伟;刘继富 |
| 主权项 | 1.一种通过掩模蚀刻硅的方法，包括：a)在待蚀刻器件的自由表面上方形成作为掩模的有机树脂层；b)在所述掩模中形成开口，暴露出待蚀刻区域的硅表面；c)将氢氟酸和高锰酸钾的稀溶液施加至经掩模暴露的硅表面上，从而将硅蚀刻至所需深度。 | ||
| 地址 | 德国塔尔海姆 | ||