具有堆叠的去耦电容器的半导体器件

摘要

本发明公开了一种半导体器件，所述半导体器件具有形成于堆叠结构的不同层上的晶体管，所述半导体器件包括堆叠型电容器簇，其中所述堆叠电容器簇的堆叠电容器包括所述半导体器件的晶体管的绝缘层，和布置在所述绝缘层上面和下面的至少第一导电层和第二导电层，其中所述堆叠电容器是在第一线和第二线之间并联连接的堆叠电容器簇的去耦电容器。

主权项

1.一种半导体器件，具有多个形成在不同层上的晶体管，所述半导体器件包括：堆叠电容器簇，其中所述堆叠电容器簇的堆叠电容器包括：多个晶体管之一对应的绝缘层、和分别被布置在所述绝缘层上面和下面的第一导电层和第二导电层，其中堆叠电容器是在第一线和第二线之间并联连接的所述堆叠电容器簇的去耦电容器。