发明名称 |
用于MEMS键合工艺的低温熔化玻璃键合方法 |
摘要 |
本发明提供一种简便易行的替代工艺方法,解决在大规模MEMS器件生产中键合工艺生产效率低下的难题。本发明采用玻璃粉做为待键合硅片间的介质,溶解在化学溶剂中后,在一定的温度下保存一定时间,然后通过丝网印刷或旋转涂覆工艺,在待键合的下硅片表面涂覆上一层玻璃浆,经过手动或机器对准后,通过控制硅片键合时的压力以及升降温梯度、键合温度与时间,完成硅片与硅片的键合。本发明对要键合的硅片的表面光洁度要求不高,降低了对键合设备的需求,通过所述的工艺步骤操作,可以大大降低键合应力,并且没有硅/玻璃阳极键合通常会出现的空洞等键合缺陷,可以提高划片速度,提高了在MEMS加工领域的器件生产速度。 |
申请公布号 |
CN1280179C |
申请公布日期 |
2006.10.18 |
申请号 |
CN200510011437.6 |
申请日期 |
2005.03.17 |
申请人 |
北京青鸟元芯微系统科技有限责任公司 |
发明人 |
刘勐;张威 |
分类号 |
B81C5/00(2006.01);H01L21/00(2006.01);H01L21/77(2006.01) |
主分类号 |
B81C5/00(2006.01) |
代理机构 |
北京君尚知识产权代理事务所 |
代理人 |
俞达成 |
主权项 |
1.一种用于MEMS键合工艺的低温熔化玻璃键合方法,采用玻璃粉做为待键合硅片间的介质,具体步骤如下:1)按照玻璃粉与溶剂松油醇5∶1的比例,配制玻璃浆溶液;2)清洗待键合的硅片表面;3)等玻璃浆冷却到室温后,对硅片进行玻璃浆涂覆;4)按照键合的方向要求放置要键合的硅片;5)设定真空和键合压力,并设定升降温程序;6)在温度达到420~430℃后,停止升温,并在该温度停留15~20分钟后,进行降温;7)降温到室温后,完成键合操作。 |
地址 |
100871北京市海淀区海淀路5号燕园三区青鸟楼3层C座 |