发明名称 |
在硅基底中形成绝缘膜的方法 |
摘要 |
使用浅槽隔离法在硅基底中形成绝缘膜的方法,包括:依次在硅基底上沉积焊接点氧化物膜、焊接点氮化物膜与多晶硅膜;将上述沉积的膜制出图案,以露出基底的一部份,其相当于电场区;蚀刻基底露出的部份以形成一沟槽;在基底上沉积HDP氧化物膜,沉积的厚度与前述沉积的多层膜的总厚度相同,深度与沟槽深度相同以填充沟槽;于HDP氧化物膜上形成反掩模,其覆盖了电场区与作用区的一部份,并且从作用区的边缘向内延伸预定距离;使用反掩模作为蚀刻阻挡物,蚀刻在作用区上形成的HDP氧化物膜的露出部份;去除反掩模;对HDP氧化物膜与多晶硅膜进行CMP;和去除焊接点氮化物膜。由于没有使用氧化物蚀刻剂来去除焊接点氮化物膜,基本上可抑制沟槽的形成。 |
申请公布号 |
CN1280889C |
申请公布日期 |
2006.10.18 |
申请号 |
CN03133156.4 |
申请日期 |
2003.07.29 |
申请人 |
海力士半导体有限公司 |
发明人 |
金奉千 |
分类号 |
H01L21/762(2006.01);H01L21/31(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/762(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
宋莉;贾静环 |
主权项 |
1.一种在硅基底中形成绝缘膜的方法,包括下列步骤:依次在硅基底上沉积焊接点氧化物膜、焊接点氮化物膜与多晶硅膜;将所述多晶硅膜、焊接点氮化物膜与焊接点氧化物膜制出图案,以露出基底的一部份,其相当于基底的电场区;蚀刻基底露出的部份以形成浅沟;在得到的基底上沉积HDP氧化物膜,所沉积的厚度与所述沉积的各层膜的厚度和沟槽的深度之和相同,以填充沟槽;在HDP氧化物膜上形成反掩模,其覆盖了电场区和与电场区相邻的作用区的一部份,并且从作用区边缘向内延伸预定距离;使用反掩模作为蚀刻阻挡物,蚀刻在作用区上形成的HDP氧化物膜的露出部份;去除反掩模;对HDP氧化物膜与多晶硅膜进行化学机械抛光;以及去除焊接点氮化物膜。 |
地址 |
韩国京畿道 |