| 发明名称 | 烧结的多晶氮化镓 | ||
| 摘要 | 多晶氮化镓(GaN)的特征为镓的原子分数为约49％-55％，表观密度为约5.5-6.1g/cm<SUP>3</SUP>，维氏硬度高于约1GPa。多晶GaN可通过在约1150℃-1300℃温度和约1-10Kbar压力下经受热均匀施压(HIPing)的方式制备。另外，多晶氮化镓可通过在约1200℃-1800℃温度和约5-80Kbar压力下经受高压/高温(HP/HT)烧结的方式制备。 | ||
| 申请公布号 | CN1280182C | 申请公布日期 | 2006.10.18 |
| 申请号 | CN02821830.2 | 申请日期 | 2002.10.30 |
| 申请人 | 通用电气公司 | 发明人 | 马克·P·德伊夫林;戴维·C·彭德;休尔什·S·瓦高拉里;朴东实 |
| 分类号 | C01B21/06(2006.01);C23C14/34(2006.01) | 主分类号 | C01B21/06(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 范明娥;巫肖南 |
| 主权项 | 1.多晶氮化镓GaN，其中镓的原子分数范围为49％-55％，表观密度为5.5-6.1g/cm3，维氏硬度高于1GPa。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||