发明名称 促进碳纳米管的稳定合成的方法及结构
摘要 本发明涉及一种合成碳纳米管的方法和由此形成的结构。该方法包括在由第一衬底支撑的多个合成位置上形成碳纳米管、中断纳米管合成、安装每个碳纳米管的自由端至第二衬底上、以及去除第一衬底。每个碳纳米管由一个合成位置盖住顶部,生长反应物易于进入该合成位置。随着恢复的纳米管合成过程中碳纳米管增长,至合成位置的通道保持畅通。
申请公布号 CN1280186C 申请公布日期 2006.10.18
申请号 CN200410090487.3 申请日期 2004.11.10
申请人 国际商业机器公司 发明人 古川俊治;马克·C·黑凯;史蒂文·J·霍尔姆斯;戴维·V·霍拉克;查尔斯·W·科伯格第三;彼得·H·米切尔;拉里·A·内斯比特
分类号 C01B31/00(2006.01);B82B3/00(2006.01) 主分类号 C01B31/00(2006.01)
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 李晓舒;魏晓刚
主权项 1.一种批量生长碳纳米管的方法,包括:在第一衬底携带的多个合成位置上合成多个碳纳米管至第一长度;中断该多个碳纳米管的合成;由第二衬底支撑该多个碳纳米管中的每一个的自由端;将该多个合成位置与该第一衬底分离;以及恢复该多个碳纳米管在该多个合成位置处的合成,从而将该多个碳纳米管增长至比该第一长度长的第二长度。
地址 美国纽约州