一种半导体刻蚀设备的腔室清洗方法

摘要

本发明涉及半导体刻蚀设备的清洗方法。本发明提出一种半导体刻蚀设备的腔室清洗方法，采用测量反应腔室内的气压值的方法，控制反应腔室附近的阀门的开关，尽量保持分子泵有一定的气压，从而减少了隔离分子泵的时间。本发明的优点和积极效果在于：由于使用探测腔室内压力方式，直接控制清洗过程中各个步骤的进程，从而减少了隔离分子泵的时间，减少了对分子泵的损害，延长了分子泵的使用寿命。

主权项

1.一种半导体刻蚀设备的腔室清洗方法，其特征在于包括以下步骤：A、打开充气阀(1)，分子泵隔离阀(5)和分子泵清洗阀(6)，对反应腔室进行充气；B、当腔室的气压到达一定水平时，关闭充气阀(1)、分子泵隔离阀(5)、分子泵清洗阀(6)，并打开旁抽慢阀(2)进行抽气；C、为了防止污染腔室，关闭旁抽慢阀(2)，打开旁抽快阀(3)；D、当干泵(10)的入口管路压力达到分子泵(9)的容忍范围，打开分子泵隔离阀(5)和分子泵清洗阀(6)；E、当腔室气压降到一定程度，关闭旁抽快阀(3)、分子泵隔离阀(5)、分子泵清洗阀(6)；F、重复步骤A到步骤E，完成腔室的清洗操作。