发明名称 发光元件的制造方法、半导体激光器及其制造方法
摘要 一种沿衬底的垂直方向发射光的表面发光型发光元件的制造方法,包括以下工序(a)~(e):(a)腐蚀多层膜的至少一部分来形成柱状部的工序,(b)形成覆盖柱状部的第1树脂层的工序,(c)改变第1树脂层相对于液体中的溶解度来形成第2树脂层的工序,(d)在溶解第2树脂层的液体中,至少将柱状部和第2树脂层浸渍规定时间,在第2树脂层中至少除去在柱状部上形成的部分的工序,(e)使第2树脂层固化来形成绝缘层的工序。
申请公布号 CN1848564A 申请公布日期 2006.10.18
申请号 CN200610077337.8 申请日期 2002.03.09
申请人 精工爱普生株式会社 发明人 近藤贵幸
分类号 H01S5/18(2006.01);H01S5/183(2006.01);H01S5/00(2006.01);H01L33/00(2006.01) 主分类号 H01S5/18(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 浦柏明;王忠忠
主权项 1.一种表面发光型半导体激光器,在半导体衬底上形成谐振器,沿所述半导体衬底的垂直方向发射光,该表面发光型半导体激光器包括:构成所述谐振器的至少一部分的柱状部;以及覆盖所述柱状部侧面的绝缘层;所述绝缘层包含填料。
地址 日本东京都