| 发明名称 | 铁电体存储装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种铁电体存储装置及其制造方法，其电气特性优良、性能更高。为此，在半导体基板(11)上形成下侧绝缘膜(第一绝缘膜30)；形成依次层叠下部电极(42)、铁电体层(44)和上部电极(46)而成的铁电体电容结构体(40)；形成覆盖铁电体电容结构体的上侧绝缘膜(第五绝缘膜50)；形成在上侧绝缘膜上延伸的布线层(70)；形成覆盖布线层和上侧绝缘膜、具有5～50nm的膜厚的氧化铝膜(90)。 | ||
| 申请公布号 | CN1848409A | 申请公布日期 | 2006.10.18 |
| 申请号 | CN200610002458.6 | 申请日期 | 2006.01.26 |
| 申请人 | 冲电气工业株式会社 | 发明人 | 阿部一英 |
| 分类号 | H01L21/8239(2006.01);H01L21/316(2006.01);H01L27/105(2006.01);G11C11/22(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8239(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 岳耀锋 |
| 主权项 | 1.一种铁电体存储装置的制造方法，包括：在半导体基板上形成下侧绝缘膜的工序；在上述下侧绝缘膜的上侧，形成依次层叠下部电极、铁电体层和上部电极而成的铁电体电容结构体的工序；形成覆盖上述铁电体电容结构体的上侧绝缘膜的工序；形成在上述上侧绝缘膜上延伸、与上述铁电体电容结构体、存储单元元件和逻辑电路元件电气连接的布线层的工序；以及形成覆盖上述布线层和上述上侧绝缘膜、具有5～50nm的膜厚的氧化铝膜即阻挡膜的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||