| 发明名称 | 用于清洗半导体器件的组合物及利用该组合物清洗半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供用于清洗半导体器件的组合物，其包含(a)含量为10～90重量％的无机酸，(b)含量为0.0001～1重量％的氢氟酸化合物，(c)含量为0～5重量％的添加剂，及(d)余量的水，以移除在制造半导体器件的精细图案的干式蚀刻处理和灰化处理中产生的光致抗蚀剂和金属蚀刻聚合物的残余物。 | ||
| 申请公布号 | CN1847382A | 申请公布日期 | 2006.10.18 |
| 申请号 | CN200510113719.7 | 申请日期 | 2005.10.14 |
| 申请人 | 美格纳半导体有限会社 | 发明人 | 洪银锡;柳尚旭;申讲燮;白贵宗;韩雄;林廷训;李相源;金圣培;金铉卓 |
| 分类号 | C11D7/08(2006.01);H01L21/304(2006.01) | 主分类号 | C11D7/08(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张平元;赵仁临 |
| 主权项 | 1.一种清洗半导体器件的组合物，包含：(a)含量为10～90重量％的无机酸，(b)含量为0.0001～1重量％的氢氟酸化合物，(c)含量为0～5重量％的添加剂，及(d)余量的水。 | ||
| 地址 | 韩国忠清北道 | ||