发明名称 |
宽光谱、大功率的半导体超辐射发光二极管及制作方法 |
摘要 |
一种宽光谱、大功率的半导体超辐射发光二极管,包括:一衬底片;一二氧化硅层,该二氧化硅层制作在衬底片上,在二氧化硅层上刻蚀出平行的宽度渐变的两个三角形二氧化硅图形;一缓冲层,该缓冲层制作在两个三角形二氧化硅图形之间;一下限制层,该下限制层采用金属有机物化学气相沉淀方法淀积在缓冲层上;一多量子阱层,该多量子阱层采用金属有机物化学气相沉淀方法淀积在下限制层上,形成能带结构空间变化的半导体多量子阱层结构;一上限制层,该上限制层采用金属有机物化学气相沉淀方法淀积在多量子阱上;一包层,该包层采用金属有机物化学气相沉淀方法淀积在上限制层上;一接触层,该接触层采用金属有机物化学气相沉淀方法淀积在包层上。 |
申请公布号 |
CN1848464A |
申请公布日期 |
2006.10.18 |
申请号 |
CN200510056278.1 |
申请日期 |
2005.04.04 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
李宝霞;张靖;赵玲娟;王圩 |
分类号 |
H01L33/00(2006.01);H01S5/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L33/00(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
汤保平 |
主权项 |
1、一种宽光谱、大功率的半导体超辐射发光二极管,其特征在于,包括:一衬底片;一二氧化硅层,该二氧化硅层制作在衬底片上,在二氧化硅层上刻蚀出平行的宽度渐变的两个三角形二氧化硅图形;一缓冲层,该缓冲层制作在两个三角形二氧化硅图形之间;一下限制层,该下限制层采用金属有机物化学气相沉淀方法淀积在缓冲层上;一多量子阱层,该多量子阱层采用金属有机物化学气相沉淀方法淀积在下限制层上,形成能带结构空间变化的半导体多量子阱结构;一上限制层,该上限制层采用金属有机物化学气相沉淀方法淀积在多量子阱上;一包层,该包层采用金属有机物化学气相沉淀方法淀积在上限制层上;一接触层,该接触层采用金属有机物化学气相沉淀方法淀积在包层上。 |
地址 |
100083北京市海淀区清华东路甲35号 |