| 发明名称 | 半导体器件的制造方法以及半导体器件 | ||
| 摘要 | 提供一种与布线材料的密接性良好且具有高阻挡性的金属膜的半导体器件及其制造方法。通过下述工序形成高密度的金属膜和金属氧化膜，其中包括：在第一基板温度，放出在表面形成有凹部的绝缘膜中和绝缘膜表面的氧化源的工序；在低于第一基板温度的第二基板温度下，在绝缘膜上形成金属膜的工序；在形成金属膜后，利用残留在绝缘膜中的氧化源，使金属膜的至少一部分氧化的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN1848407A | 申请公布日期 | 2006.10.18 |
| 申请号 | CN200610073921.6 | 申请日期 | 2006.01.23 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 坂田敦子;和田纯一;尾本诚一;羽多野正亮;山下创一;东和幸;中村直文;山田雅基;木下和哉;坚田富夫;莲沼正彦 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/3205(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 李峥;杨光军 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：在第一基板温度下，使在表面形成有凹部的绝缘膜中和该绝缘膜表面的氧化源放出的工序；在低于上述第一基板温度的第二基板温度下，在上述绝缘膜上形成金属膜的工序；在形成上述金属膜后，利用残留在上述绝缘膜中的氧化源，使上述金属膜的至少一部分氧化的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||