具有瓶状深沟槽电容的半导体元件及其制造方法

摘要

一具有一晶体管以及一储存电容的半导体元件。此晶体管包括形成于基底上的源极与漏极区。此储存电容耦合于该晶体管。此储存电容由一瓶状沟槽所构成，且具有形成于沟槽中的一外延硅层以形成源极与漏极区其中之一的至少一部分。该外延硅层可由部分基底进行选择性地成长于沟槽中，使外延硅层用以定义该沟槽的瓶状。

主权项

1、一种半导体元件制造方法，其至少包括：形成一沟槽于一基底中；以及由部分该基底形成一外延硅层，使该外延硅层用于对该沟槽定义出一瓶状。