发明名称 半导体开关的高频控制
摘要 谐振栅驱动电路提供了例如MOSFET的有效开关。然而,谐振栅驱动电路的操作常常不允许其中需要高的开关频率的应用。根据本发明,执行谐振栅驱动电路的电感的预充电。这允许高度有效的和快速的MOSFET的操作。
申请公布号 CN1849748A 申请公布日期 2006.10.18
申请号 CN200480025681.1 申请日期 2004.08.25
申请人 皇家飞利浦电子股份有限公司 发明人 T·G·托勒;T·迪尔鲍姆;G·绍尔莱恩德;T·洛佩斯
分类号 H03K17/0412(2006.01) 主分类号 H03K17/0412(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 吴立明;张志醒
主权项 1.用于驱动半导体开关的谐振驱动电路的操作方法,其中驱动电路包括第一开关,用于将电源连接到半导体开关的控制端;第二开关,其连接在地和半导体开关的控制端之间;和第三开关,用于将半导体开关的控制端经由电感连接到电位,该方法包括步骤:通过在开始半导体开关的开关之前开关第三开关,对电感预充电。
地址 荷兰艾恩德霍芬