| 发明名称 | 铜箔上的碳酸钡的掺氧烧制 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种制造嵌入式电容器和印刷线路板的方法，所述方法包括：提供一金属箔；在金属箔上形成第一介电层；在第一介电层的至少一部分上形成导电层；控制受控的气氛的氧含量；在受控的气氛下、在烧制区中烧制第一介电层和导电层。 | ||
| 申请公布号 | CN1848320A | 申请公布日期 | 2006.10.18 |
| 申请号 | CN200510138152.9 | 申请日期 | 2005.12.27 |
| 申请人 | E·I·内穆尔杜邦公司 | 发明人 | W·J·博兰 |
| 分类号 | H01G4/33(2006.01);H01G13/00(2006.01);H05K3/30(2006.01) | 主分类号 | H01G4/33(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 周承泽 |
| 主权项 | 1.一种制造电容器的方法，它包括：提供一金属箔；在所述金属箔上形成第一介电层；在所述第一介电层的至少一部分上形成导电层；控制受控气氛的氧含量；在所述受控气氛下，在烧制区中烧制所述第一介电层和导电层。 | ||
| 地址 | 美国特拉华州 | ||