功率MOS场效应管及其制造方法

摘要

提供一种MOS场效应管，包括第一导电型衬底(2)。同样沉积在衬底上的第一导电型的外延层(1)。第一和第二主体区域(5a，6a，5b，6b)位于外延层内并且确定二者之间的漂移区域。主体区域具有第二导电型。第一导电型的第一和第二源极区(7，8)分别位于第一和第二主体区域。多个沟槽(44，46)位于外延层漂移区域内的主体区域下部。由第一和第二主体区域延伸到衬底的沟槽内部填充有含有第二导电型掺杂物的外延分层材料。掺杂物从沟槽扩散到邻近沟槽的外延层部分内部，从而在主体区域下形成第二导电型的半导体区域(40，42)。

主权项

1.一种功率MOS场效应管，包含：第一导电型衬底；衬底上的外延层，所述外延层具有第一导电型；位于第一外延层内确定了漂移区域的第一和第二主体区域，所述主体区域具有第二导电型；分别位于第一和第二主体区域内的第一导电型的第一和第二源区域；位于外延层漂移区域内的主体区域下面的多个沟槽，所述沟槽槽内部填充有含有第二导电型掺杂物的外延分层的材料，所述沟槽从第一和第二主体区域延伸到衬底，所述掺杂物从所述沟槽扩散到邻近沟槽的外延层部分；其中所述外延分层的材料包含多个层，所述层中至少两个层具有不同的掺杂浓度。