| 发明名称 | 半导体组件的钝化层结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体组件的钝化层结构及其形成方法，包含一高紫外透明氮化硅层。此高紫外透明氮化硅层共形覆盖于数条形成于一半导体衬底上的顶部金属线，以使凹洞被定义于邻近的顶部金属线之间。然后，在凹洞中填有旋涂式玻璃材料。接着，在高紫外透明氮化硅层以及旋涂式玻璃材料上有一层厚度在约8000埃至10000埃间的氮氧化硅层。而且，有描述了形成此一钝化层结构的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1280907C | 申请公布日期 | 2006.10.18 |
| 申请号 | CN02143244.9 | 申请日期 | 2002.09.24 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 陈荣杰;卢成建;陈怡月;李东达 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01);H01L21/31(2006.01) | 主分类号 | H01L27/10(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1、一种闪存的钝化层结构，其特征在于：包括：复数条顶部金属线，位于一基底上；一高紫外透明氮化硅层，共形于该些顶部金属线，以使该高紫外透明氮化硅层的一顶表面部分定义邻近该些顶部金属线之间成为复数个凹洞，其中该高紫外透明氮化硅层具有约4000埃的厚度；一旋涂式玻璃材料，位于用以定义该些凹洞的该高紫外透明氮化硅层的该顶表面部分上，其中该旋涂式玻璃材料具有约3400埃的厚度；一氮氧化硅层，位于该高紫外透明氮化硅层以及该旋涂式玻璃材料上，其中该氮氧化硅层具有约8000埃至10000埃之间的厚度。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 | ||