| 发明名称 | 高频用磁性薄膜、其制作方法及磁元件 | ||
| 摘要 | 通过采用由非晶状态的强磁性金属和与该强磁性金属不同的非晶金属形成的DM(不连续多层)结构，实现了在GHz频带的高频区具有高的磁导率且具有高的饱和磁化的高频用磁性薄膜。此时，优选：(i)强磁性金属是以Fe或FeCo为主成分、并含有选自C、B和N的1种或2种以上的元素的金属，非晶金属是Co系非晶合金；(ii)非晶金属是CoZrNb。 | ||
| 申请公布号 | CN1849676A | 申请公布日期 | 2006.10.18 |
| 申请号 | CN200480026004.1 | 申请日期 | 2004.09.10 |
| 申请人 | TDK株式会社 | 发明人 | 崔京九;山崎阳太郎;村濑琢 |
| 分类号 | H01F10/16(2006.01);H01F10/13(2006.01);H01F41/18(2006.01);H01F17/00(2006.01) | 主分类号 | H01F10/16(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 孙秀武;邹雪梅 |
| 主权项 | 1.一种高频用磁性薄膜，其特征在于，具有采用非晶状态的强磁性金属和与上述强磁性金属不同的非晶金属形成的DM(不连续多层)结构。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||