| 发明名称 | 半导体器件以及制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括半导体主体，其包含具有第一晶向的半导体材料。第一晶体管在具有第一晶向的半导体材料中形成。绝缘层覆盖半导体主体的部分并且半导体层覆盖绝缘层。该半导体层具有第二晶向。第二晶体管在具有第二晶向的半导体层中形成。在优选实施方案中，半导体主体是(100)硅，第一晶体管是NMOS晶体管，半导体层是(110)硅并且第二晶体管是PMOS晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN1848431A | 申请公布日期 | 2006.10.18 |
| 申请号 | CN200610002411.X | 申请日期 | 2006.01.27 |
| 申请人 | 国际商业机器公司;英芬能技术北美公司 | 发明人 | 宋均镛;阎江;丹尼·P－C.·舒姆;阿洛艾斯·古特曼 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01);H01L21/82(2006.01) | 主分类号 | H01L27/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 秦晨 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：半导体主体，包含具有第一晶向的半导体材料；第一晶体管，在具有第一晶向的半导体材料中形成；绝缘层，覆盖半导体主体的多个部分；覆盖绝缘层的半导体层，该半导体层具有第二晶向；外延生长的半导体区域，覆盖半导体层；以及第二晶体管，在具有第二晶向的外延生长半导体区域中形成。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||