| 发明名称 | 一种闪存单元及其操作方法 | ||
| 摘要 | 一种闪存单元，包括一基底、一选择栅极、一第一型离子掺杂区、一第二型离子浅掺杂区、一第二型离子深掺杂区以及一源极掺杂区。其中，基底具有一堆叠式栅极(stacked gate)；选择栅极形成于基底上并位于堆叠式栅极的一侧；第一型离子掺杂区位于基底中并与选择栅极邻设，以作为闪存单元的漏极；第二型离子浅掺杂区位于堆叠式栅极下方并与第一型离子掺杂区连接；第二型离子深掺杂区位于第一型离子掺杂区周围，并与第二型离子浅掺杂区连接；而源极掺杂区邻设于第二型离子浅掺杂区一侧以作为闪存单元的源极。另外，本发明还揭露一种上述闪存单元的操作方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1280912C | 申请公布日期 | 2006.10.18 |
| 申请号 | CN03102695.8 | 申请日期 | 2003.02.14 |
| 申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 洪至伟;宋达;许正源 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01);H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;程伟 |
| 主权项 | 1、一种闪存单元，其特征在于，其包含：一基底，其具有一堆叠式栅极；一选择栅极，其形成于该基底上并位于该堆叠式栅极的一侧；一第一型离子掺杂区，其位于该基底中并邻设于该选择栅极，以作为该闪存单元的漏极；一第二型离子浅掺杂区，其位于该堆叠式栅极下方并与该第一型离子掺杂区连接；一第二型离子深掺杂区，其位于该第一型离子掺杂区周围，并与该第二型离子浅掺杂区连接；以及一源极掺杂区，其邻设于该第二型离子浅掺杂区一侧以作为该闪存单元的源极。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||