沟槽肖特基整流器

摘要

提供一种肖特基整流器。肖特基整流器包括：(A)具有半导体区和漂移区的第一和第二相对表面的半导体区，该半导体区包括邻接第一表面(12A)的第一导电类型的阴极区(12C)和邻接第二表面的第一导电类型的漂移区(12D)，该漂移区具有比阴极区的掺杂浓度更低的净掺杂浓度；(B)从第二表面(12B)延伸进入半导体区并在半导体区中限定一个或多个台面的一个或多个沟槽；(C)绝缘区(16)，邻接沟槽下部中的半导体区；(D)以及阳极电极，其(I)邻接肖特基整流接触并与第二表面(12)处的半导体形成肖特基整流接触，(II)邻接肖特基整流接触并与沟槽上部之中的半导体区形成肖特基整流接触，并且(III)邻接沟槽下部之中的绝缘区(16)。

主权项

1.一种肖特基整流器，其包括：具有第一和第二相对表面的半导体区，所说半导体区包括邻接第一表面的第一导电类型的阴极区和邻接第二表面的所说第一导电类型的漂移区，所说漂移区具有比所说阴极区的掺杂浓度更低的净掺杂浓度；一个或多个沟槽，从所说第二表面延伸进入所说半导体区、并在所说半导体区中限定出一个或多个台面；绝缘区，邻接所说一个或多个沟槽中的所说半导体区，所说绝缘区包含接触所说半导体区的热生长的绝缘层和在所说热生长的绝缘层之上配置的淀积生长的绝缘层；以及阳极电极，(a)其邻接肖特基整流接触并在所说第二表面处与所说半导体区形成肖特基整流接触，并且(b)其邻接所说沟槽中的所说绝缘区，其中，所说沟槽延伸进入所说阴极区。