发明名称 用于功率转换器的高侧晶体管驱动器
摘要 本发明是有关于一种高侧晶体管驱动器包括一高侧晶体管、一低侧晶体管、一驱动缓冲器和一控制晶体管。当低侧晶体管接通时,一充泵二极管和一自举电容器产生一浮动电压。驱动缓冲器将传送浮动电压以接通高侧晶体管。控制晶体管用于切换驱动缓冲器。高侧晶体管驱动器进一步包括一加速电路。加速电路用电容耦合方式产生一差动信号。当控制晶体管断开时,加速电路便加速控制晶体管寄生电容器的充电,从而加速高侧晶体管的切换。
申请公布号 CN1849740A 申请公布日期 2006.10.18
申请号 CN200480026068.1 申请日期 2004.05.26
申请人 崇贸科技股份有限公司 发明人 杨大勇
分类号 H02M1/08(2006.01) 主分类号 H02M1/08(2006.01)
代理机构 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人 寿宁
主权项 1.一种高侧晶体管驱动器,其包括:一高侧晶体管;一低侧晶体管;一浮动接地端子,其连接到所述高侧晶体管的一源极;一浮动供应端子,其用于为所述高侧晶体管驱动器提供一浮动电压;一充泵二极管,其具有一连接到所述浮动供应端子的阴极,其中所述充泵二极管的一阳极供应有一偏压电压;一自举电容器,其以串联方式与所述充泵二极管相连接,其中所述自举电容器的一负极端子连接到所述浮动接地端子,且其中所述自举电容器的一正极端子连接到所述浮动供应端子;一P晶体管,其具有一连接到所述浮动供应端子的源极;一N晶体管,其具有一连接到所述浮动接地端子的源极,其中所述N晶体管的一门极连接到所述P晶体管的一门极,其中所述N晶体管的一漏极和所述P晶体管的一漏极形成一接点,其中所述接点处的电压用以驱动所述高侧晶体管的一门极;和一电流吸入器,其从所述N晶体管的所述门极连接到所述浮动接地端子。
地址 中国台湾台北县