一种制造具有选择晶体管的嵌入式DRAM单元阵列的方法

摘要

本发明公开的一种动态随机存取存储器采用多维位线结构解决了长期存在的存储器器件分布间隔过密问题。译码器设计方面的改进进一步减小了这种存储器装置的总面积。本发明还公开了一种新的存储器存取方法，这种方法能够使外部用户完全察觉不到存储器内部进行的数据更新操作。通过使用这种存储器结构，可在不降低存储器密度的前提下制造出性能较高的DRAM。而且存储器对系统支持的要求也被大大简化。

主权项

1.一种制造具有选择晶体管的嵌入式DRAM单元阵列的方法，其中该DRAM单元阵列与高性能逻辑电路共存于同一基材上，该方法包含：采用一个门电极形成工艺同时形成一个DRAM选择晶体管的门电极，并为一高性能逻辑电路形成一个逻辑电路门电极，其中选择晶体管门电极氧化物和逻辑电路门电极氧化物大体上具有相同的厚度，以及采用在形成选择晶体管与逻辑晶体管大致相同的嵌入式工艺，其中选择晶体管与逻辑晶体管具有大体上相同的临界电压。