由多重沉积和氧化步骤生成间隙层的磁阻传感器结构的生成方法

摘要

磁阻传感器结构的生成包括：提供一个基底结构，在基底结构之上沉积一个磁钉住结构，以及在磁钉住结构之上沉积一个氧化铜间隙层。沉积氧化铜间隙层的步骤包括沉积第一铜子层，氧化第一铜子层，沉积第二铜子层以及氧化第二铜子层。如果需要也可使用更多次的沉积和氧化步骤。感应结构沉积在氧化铜间隙层之上。

主权项

1.一种用于生产磁阻传感器结构的方法，包括的步骤有：提供基底结构；在基底结构上沉积一个磁钉住结构；在磁钉住结构上沉积一个金属氧化间隙层，步骤有沉积第一金属子层，氧化第一金属子层，沉积第二金属子层，以及氧化第二金属子层，在金属氧化间隙层上沉积感应结构。