| 发明名称 | 磁存储器 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于屏蔽磁存储器防止外部磁场的干扰。为此，本发明的磁存储器包括磁存储元件阵列(2)，每个磁存储元件(3)包括至少一个第一层磁材料(4)，所述存储器设置有屏蔽层(14)用于对所述磁存储元件进行磁场屏蔽，其中所述屏蔽层(14)被分成相互隔开的区域(5)，所述区域(5)的厚度(10)超过所述磁存储元件(3)的厚度(11)。因为由屏蔽层(4)的区域(5)产生的外部磁场的大的衰减，所以存储器(1)不会被外部强磁场擦除。 | ||
| 申请公布号 | CN1280831C | 申请公布日期 | 2006.10.18 |
| 申请号 | CN01802437.8 | 申请日期 | 2001.05.16 |
| 申请人 | 皇家菲利浦电子有限公司 | 发明人 | K·－M·H·伦斯森;J·J·M·鲁格罗克 |
| 分类号 | G11C11/16(2006.01);G11C11/15(2006.01);G11C11/14(2006.01) | 主分类号 | G11C11/16(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 曾祥凌;郑建晖 |
| 主权项 | 1.一种磁存储器(1)，包括磁存储元件阵列(2)，每个磁存储元件(3)包括至少一个第一层磁材料(4)，所述存储器设置有屏蔽层(14)用于对所述磁存储元件进行磁场屏蔽，其特征在于，所述屏蔽层(14)被分成相互隔开的区域(5)，所述区域(5)的厚度(10)超过所述磁存储元件(3)的厚度(11)。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||