发明名称 |
半导体激光器 |
摘要 |
本发明提供一种可以无障碍地在半导体激光器的上包层上形成条状凸部,而且能够抑制乃至防止向上包层一侧扩展光分布的装置。在半导体激光器中,n-GaAs衬底1的上边,顺序地将n-AlGaInP包层(2)、AlGaInP/GaInPMQW有源层(3)、AlGaInP第1上包层(4)、p-Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1-x</SUB>As-ESL5、具备条状凸部(6)的p-AlGaInP第2上包层(7)、以及p-GaAs接触层(8)层叠起来。除p-AlGaInP第2上包层(7)的条状凸部(6)以外的部分,都用绝缘膜(9)覆盖起来。P-Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1-x</SUB>As-ESL5的折射率为大约与各包层(2、4、7)的折射率相等。 |
申请公布号 |
CN1848567A |
申请公布日期 |
2006.10.18 |
申请号 |
CN200610077820.6 |
申请日期 |
2003.11.06 |
申请人 |
三菱电机株式会社 |
发明人 |
西口晴美;八木哲哉;吉田保明 |
分类号 |
H01S5/323(2006.01);H01S5/343(2006.01);H01S5/30(2006.01);H01S5/22(2006.01) |
主分类号 |
H01S5/323(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
王忠忠 |
主权项 |
1.一种半导体激光器,具有:有源层;位于有源层下侧的下包层;位于有源层上侧的第1上包层;以及位于第1上包层上侧、具备条状凸部的第2上包层,在所述凸部下方形成条状的光波导,其特征是下包层和第1上包层分别含有AlGaInP;第2上包层包含任意的Al组成比x的AlxGa1-xAs,而且所述Al组成比x在0.45~0.9的范围内。 |
地址 |
日本东京都 |