| 发明名称 | 双色铟镓砷红外探测器及其制备方法和应用 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种双色铟镓砷(InGaAs)红外探测器，是在铟磷((InP)衬底上依次生长有In<SUB>X</SUB>Ga<SUB>1－X</SUB>As材料的适合探测3－ 5μm红外线波的光导层、绝缘层，适合探测1－3μm红外线波的PIN结构的InGaAs材料层。所述的红外探测器的制备方法是用金属有机气相淀积技术在InP衬底上生长InGaAs材料，制备一种对1－3μm、3－5μm两个波段同时探测的红外外延片，再用该外延片制造两个波段的红外探测器。该红外探测器可以用于制备多方向测量红外信号器件。 | ||
| 申请公布号 | CN1848460A | 申请公布日期 | 2006.10.18 |
| 申请号 | CN200610034286.0 | 申请日期 | 2006.03.15 |
| 申请人 | 华南师范大学 | 发明人 | 孙慧卿;范广涵;郭志友 |
| 分类号 | H01L31/08(2006.01);H01L31/18(2006.01) | 主分类号 | H01L31/08(2006.01) |
| 代理机构 | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人 | 何淑珍 |
| 主权项 | 1、一种双色铟镓砷(InGaAs)红外探测器，其特征在于在铟磷((InP)衬底上依次生长有InxGa1-xAs材料的适合探测3-5μm红外线波的光导层、绝缘层，适合探测1-3μm红外线波的PIN结构的InGaAs材料层。 | ||
| 地址 | 510630广东省广州市天河区石牌 | ||