| 发明名称 | 存储器件和使用及制造该器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开由两个电极(106，202，108，204)所构成的存储单元(104)，该两个电极之间具有可控制导电介质。可控制导电介质(110)含有有源低导电层(112)和无源层(114)。若于可控制导电介质(110)上施加外界刺激如施加电场时时，该可控制导电介质会改变其阻抗。本发明也公开制造存储器件/单元的方法、使用该存储器件/单元的方法，以及例如含有该存储器件/单元的计算机的器件。 | ||
| 申请公布号 | CN1849718A | 申请公布日期 | 2006.10.18 |
| 申请号 | CN200480025672.2 | 申请日期 | 2004.05.21 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | Z·蓝;M·A·范巴斯柯克;C·S·比尔 |
| 分类号 | H01L51/05(2006.01);H01L27/28(2006.01);H01L27/24(2006.01);G11C13/04(2006.01);G11C13/02(2006.01) | 主分类号 | H01L51/05(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程伟;戈泊 |
| 主权项 | 1.一种存储单元(104)，包括：第一电极(106、202)；第二电极(108、204)；以及位于第一电极和第二电极之间的可控制导电介质(110)，该可控制导电介质包括：低导电层(112)，其包括至少一种共轭有机聚合物、共轭有机金属化合物、共轭有机金属聚合物、巴克球、碳纳米管、低导电性硫属化合物、及过渡金属氧化物，以及无源层(114)，其包括导电促进层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||