| 发明名称 | 清洁组合物、清洁半导体基底的方法以及在半导体基底上形成配线的方法 | ||
| 摘要 | 一种清洁组合物，包含至少氢氧化季铵、水溶性有机溶剂、水、抗蚀剂和占溶液总量的1重量％或更低的氢氧化钾。该清洁组合物可以单独有效地从半导体基底表面去除光刻胶薄膜、隐埋材料和金属残余物。 | ||
| 申请公布号 | CN1849386A | 申请公布日期 | 2006.10.18 |
| 申请号 | CN200480017132.X | 申请日期 | 2004.06.18 |
| 申请人 | 东京応化工业株式会社;英特尔公司 | 发明人 | 横井滋;胁屋和正;原口高之;M·A·赫斯塞恩;L·I·乔恩格;S·C·克拉克 |
| 分类号 | C11D11/00(2006.01);H01L21/306(2006.01);C11D7/32(2006.01);C11D7/06(2006.01);C11D7/50(2006.01);C11D7/34(2006.01);C11D7/26(2006.01) | 主分类号 | C11D11/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘维升;赵苏林 |
| 主权项 | 1.一种清洁组合物，包括：氢氧化季铵；水溶性有机溶剂；水；抗蚀剂；和占溶液总量的1重量％或更低的氢氧化钾。 | ||
| 地址 | 日本川崎市 | ||