漏极开路电路的MOSFET及其半导体集成电路器件

摘要

在传统的漏极开路电路的N沟道MOSFET中，在将正静电电荷施加在其漏极上时，不存在通过其对静电电荷进行放电的通路，导致了相当低的静电耐压。为了克服此问题，按照本发明，一种漏极开路N沟道MOSFET，具有由N型半导体层形成的漏极区、在所述漏极区中形成的P型杂质扩散层、在所述漏极区中形成以将所述P型杂质扩散层夹在中间的两个高浓度N型杂质扩散层、以及与所述P型杂质扩散层相连并与所述两个高浓度N型杂质扩散层相连的漏极电极。在将正静电电荷施加在漏极上时，寄生晶体管开始形成通过其对静电电荷进行放电的通路。

主权项

1、一种漏极开路N沟道MOSFET，包括：由N型半导体层形成的漏极区；在所述漏极区中形成的P型杂质扩散层；在所述漏极区中形成并将所述P型杂质扩散层夹在中间的两个高浓度N型杂质扩散层；以及与所述P型杂质扩散层相连并与所述两个高浓度N型杂质扩散层相连的漏极电极。