具有改进之资料保持之记忆体装置

摘要

本记忆体装置(130)包括第一与第二电极(132，138)、介于第一与第二电极(132，138)间之被动层(134)、及介于第一与第二电极(132，138)间且来自被动层(134)之离子可供应入其内之主动层(136)，并且从此主动层(136)来之离子可供应入被动层(134)内。主动层(136)系由基底材料(basematerial)与其中之杂质组成。结合之材料与杂质比单独使用基底材料具有较低之扩散系数。