发明名称 用于垂直熔炉之半导体晶圆容器
摘要 一种在一垂直熔炉中用于半导体晶圆之热处理的晶圆容器,该晶圆容器包含支撑杆,其当该晶圆容器置于垂直熔炉内时大体上垂直地延伸。指状件系由支撑杆支撑且沿支撑杆之垂直范围延伸。晶圆固定器平台系调适以藉由在大体上不同共水平面处的指状件群支撑。指状件系调适以在晶圆固定器平台之下,且在支撑位置处支撑该等平台。指状件及晶圆固定器平台各具有一个别的第一总体最大厚度。指状件及晶圆固定器平台之至少其一的支撑位置具有一少于第一总体最大厚度之第二最大厚度。
申请公布号 TW200636903 申请公布日期 2006.10.16
申请号 TW095102628 申请日期 2006.01.24
申请人 MEMC电子材料公司 发明人 布南特 谷卜特;赖瑞 伟恩 雪弗;布莱恩 罗伦斯 吉尔莫尔
分类号 H01L21/68 主分类号 H01L21/68
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国