光二极体之空乏区结构

摘要

一种光二极体之空乏区结构，其磊晶层结构(from top to bottom)系由第一P型掺杂层(p–type)、第一N型掺杂层(n–tyep)、第二P型掺杂层(p–type)、一未掺杂层(undoped)、以及第二N型掺杂层(n–type)所组成，成为p–n–p–i–n磊晶层，并成长于所有参杂或是半绝缘的半导体基板上。藉此，不但可以提升光侦测器的输出功率与频宽乘积，更解决电子飘移速度因外加偏压过大而降低的问题，其更可以应用在光纤通信波长的光检测器。