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发明名称
磁性薄膜之次微米磁滞回路的量测方法
摘要
一种磁性薄膜之次微米磁滞回路的量测方法,此量测方法先对磁性薄膜样品施加一外加磁场,并以偏光显微镜观测样品之分析区域。然后将所观测到之动态影像依时间先后顺序转换成多张数位静态图片以供储存。再依序读取这些静态图片上所选定之每一像素之灰阶值,并将这些灰阶值转换成相对应之相对磁矩值,以分别绘成这些像素之磁滞回路。
申请公布号
TW200636275
申请公布日期
2006.10.16
申请号
TW094111074
申请日期
2005.04.07
申请人
国立云林科技大学
发明人
吴德和;叶林秀;李佳谋
分类号
G01R33/14
主分类号
G01R33/14
代理机构
代理人
蔡坤财
主权项
地址
云林县斗六市大学路3段123号
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