可控式变容器

摘要

本案揭示一种用以改良CMP制程及改良与主动区域电气绝缘之空白区域变容器以及其形成方法，该变容器包含具有一空白区域之一半导体基板，该空白区域包含具有一第一极性之一第一井区；一浅沟渠绝缘(STI)结构，系位于该基板中，以定义含有第一、第二及第三平台区之相邻平台区；以及一第二井区，系具有第二极性，位于具有该第二极性之该第一平台下方，以形成一PN接面界面；其中具有该第一极性之该第二及第三平台区系形成于相邻该第一平台区之每一侧。