发明名称 部分损坏记忆体到相异记忆体介面之重生方法与装置
摘要 本发明系一种将一个或多个部分损毁之记忆体晶片重生到一记忆体系统之方法与装置。该部分损毁之记忆体晶片具有第一种记忆体介面型态,而记忆体系统则是具有第二种记忆体介面型态,两种记忆体介面型态不同。为了能转换介于具有第一种记忆体介面型态的部分损毁之记忆体晶片与具有第二种记忆体介面型态之记忆体系统间的讯号,该方法与装置包含了一命令对应机制用以产生适当之控制与位址讯号以避免记忆体系统存取范围落入损毁之记忆体空间。此外,该方法与装置还包含一资料对应机制以提供适当之资料讯号以避免第一种型态记忆体介面与第二种型态记忆体介面间之记忆体频宽失衡。
申请公布号 TW200636720 申请公布日期 2006.10.16
申请号 TW094111306 申请日期 2005.04.08
申请人 倍硕科技股份有限公司 发明人 唐立人;甘宗左;林俊杰;陈志峰
分类号 G11C11/34 主分类号 G11C11/34
代理机构 代理人
主权项
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