在高电压LDMOS结构中形成改良式隔离接合之方法METHOD FOR FORMING AN IMPROVED ISOLATION JUNCTION IN HIGH VOLTAGE LDMOS STRUCTURES

摘要

一种形成改良式隔离接合于横向扩散金氧半(LDMOS)结构中之方法，以降低在高操作电压下的漏电流情形，包括于形成具有掺杂隔离区之上磊晶区之前，先形成掺杂区于埋入层中，随后再进行一趋入制程，藉由混合位于该埋入区中之该掺杂区与该上掺杂隔离区，以形成一连续的隔离区。