半导体装置之制造方法、布线及半导体装置

摘要

本发明的实施例中，系去除透过热处理具有导入p型杂质、n型杂质、(p＋n)杂质的区域之半导体层，而生成于表层的各区域上之杂质析出层后，于其上形成金属材料膜，并透过热处理，于半导体层上形成矽化物膜。于其他实施例中，于上述杂质析出层导入杂质后，于其上形成金属材料膜，而后经热处理形成矽化物膜。