| 发明名称 |
具受控双轴应力之超低介电常数层 |
| 摘要 |
本发明揭示一种形成具受控双轴应力之超低介电常数层的方法，包含以下步骤：利用PECVD及旋涂之其中之一，形成含有矽(Si)、碳(C)、氧(O)、及氢(H)的层；及在含有氧及水各小于10 ppm之极低浓度的环境中固化薄膜。本发明亦揭示一种使用该方法的材料，其具有不超过2.8的介电常数。本发明克服形成具小于46 MPa低双轴应力之薄膜的问题。 |
| 申请公布号 |
TW200636859 |
申请公布日期 |
2006.10.16 |
| 申请号 |
TW095100786 |
申请日期 |
2006.01.09 |
| 申请人 |
万国商业机器公司 |
发明人 |
克里斯多斯D 迪米崔科波洛斯;斯帝芬M 盖兹;艾福瑞德 葛瑞尔;麦可W 蓝恩;艾瑞克G 林那杰;刘乔胡;颂 凡 恩古言;戴博艾A 纽梅耶;汤玛士M. 修 |
| 分类号 |
H01L21/312;H01L21/316;H01L23/532;C23C16/40 |
主分类号 |
H01L21/312 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
蔡玉玲 |
| 主权项 |
|
| 地址 |
美国 |
