半导体雷射元件及其制造方法以及使用该半导体雷射元件之光学拾取装置

摘要

本发明提供一种半导体雷射元件，具有高可靠度及理想的温度特性且同时为高功率元件。活性层及将该活性层夹置于其间之两包覆层系形成在基板上。该两包覆层之一者形成台地状隆脊，且该隆脊包括分叉成至少两分歧部之波导区域。藉此构造，注入至该活性层之后刻面(facet)部分之载子密度降低，藉此便可以增进该半导体雷射之温度特性。该元件包括一区域，该隆脊底部宽度在横越该区域上系呈连续变化，且该隆脊底部宽度在接近该刻面处系固定的。