纵型场效电晶体

摘要

本发明之MOSFET(金属－氧化物－半导体场效电晶体)，系在由设于一半导体基板中之一渠沟闸所环绕之晶胞中具有一基极层与一源极层。一渠沟式接触窗形成穿透该源极层与该基极层。该渠沟式接触窗薄且为线状，以便增加嵌入特性。且该渠沟式接触窗为环形或形，以减少源极之长度。