具有阶状闸极之半导体元件及其制造方法

摘要

一种具有阶状闸极之半导体元件包括：一半导体基板，包括在一由沟槽隔离膜所界定之主动区域的两端上具有相对低台阶之第一区域、一在该主动区域之部分上具有相对高台阶的第二区域、及一在该第二区域之部分上所形成的具有一预定深度之凹槽；阶状闸极堆叠结构，形成于该等第一区域与该第二区域间之边界上，同时暴露该第二区域之凹槽；第一杂质区域，形成于该等阶状闸极堆叠结构所暴露之第一区域中；以及一第二杂质区域，形成于该等阶状闸极堆叠结构所暴露之第二区域中，同时包围该第二区域之凹槽。