首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 SUBSTRAT SILICIUM-SUR-ISOLANT (SOI) ET METHODE DE FABRICATION DUDIT SUBSTRAT
摘要
申请公布号 FR2860100(B1) 申请公布日期 2006.10.13
申请号 FR20040052015 申请日期 2004.09.10
申请人 NEC CORPORATION 发明人 OGURA ATSUSHI
分类号 H01L21/265;H01L21/762;H01L21/02;H01L27/12 主分类号 H01L21/265
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com