发明名称 |
Halbleiterchip mit einer Lötschichtenfolge und Verfahren zum Löten eines Halbleiterchips |
摘要 |
Bei einem Halbleiterchip (1), auf den eine zur Herstellung einer Lötverbindung vorgesehene Schichtenfolge (2) aufgebracht ist, wobei die Schichtenfolge (2) eine Lotschicht (15) und eine vom Halbleiterchip (1) aus gesehen der Lotschicht (15) nachfolgende Oxidationsschutzschicht (17) umfasst, ist zwischen der Lotschicht (15) und der Oxidationsschutzschicht (17) eine Barriereschicht (16) enthalten. Dadurch wird verhindert, dass ein Bestandteil der Lotschicht (15) vor dem Lötvorgang durch die Oxidationsschutzschicht (17) diffundiert und dort eine für die Herstellung einer Lötverbindung nachteilige Oxidation bewirkt.
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申请公布号 |
DE102005029246(A1) |
申请公布日期 |
2006.10.12 |
申请号 |
DE20051029246 |
申请日期 |
2005.06.23 |
申请人 |
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH |
发明人 |
GROLIER, VINCENT;ILLEK, STEFAN;PLOESL, ANDREAS |
分类号 |
H01L23/482;H01L21/60;H01L33/62 |
主分类号 |
H01L23/482 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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