| 摘要 |
Eine Diode umfaßt ein zwischen zwei metallischen Elektroden (5, 6) angeordnetes Halbleitersubstrat mit einer stark dotierten ersten Zone (3), die einen ohmschen Übergang zu der ersten Elektrode (6) bildet, eine mit gleichem Leitfähigkeitstyp schwach dotierte zweite Zone (1), die einen gleichrichtenden Übergang zu der zweiten Elektrode (5) bildet, und eine dritte Zone (2), die mit gleichem Leitfähigkeitstyp schwächer als die zweite Zone (3) dotiert ist, wobei die dritte Zone (2) die erste und die zweite (1, 3) voneinander trennt und die zweite Zone (1) zwischen der zweiten Elektrode (5) und der dritten Zone (2) eingeschlossen ist.
|
